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STB20NE06T4

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB
STB20NE06T4 技术参数
  • STB20N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):330 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB20N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK(TO-263) 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 STB20N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1434pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB2060CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:850μA @ 60V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB2045CTR 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 20A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 45V 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB21NK50Z STB21NM50N STB21NM50N-1 STB21NM60N STB21NM60N-1 STB21NM60ND STB22NM60N STB22NS25ZT4 STB230NH03L STB23N80K5 STB23NM50N STB23NM60N STB23NM60ND STB24N60DM2 STB24N60M2 STB24N65M2 STB24NM60N STB24NM65N
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