STB37N60DM2AG

配单专家企业名单

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STB37N60DM2AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STB37N60DM2AG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
569888
ST意法
N/A
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STB37N60DM2AG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STB37N60DM2AG
深圳市畅洲科技有限公司
深圳市畅洲科技有限公司
联系人：苏小姐
电话：0755-82561407
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场4211B
资质：营业执照
10000
ST(意法)
D2PAK
22+
-
全新原装正品

STB37N60DM2AG
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
2000
ST MICROELECTRONICS
价格优势
2425
-
全新原装渠道现货

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 28A
制造商
stmicroelectronics
系列
汽车级，AEC-Q101，MDmesh?
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
28A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
110 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
54nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2400pF @ 100V
功率 - 最大值
210W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
标准包装
1

STB37N60DM2AG 技术参数

STB36NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB36NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:83.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2722pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB36NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB35NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1550pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:83nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB40NF10T4 STB40NF20 STB40NS15T4 STB42N60M2-EP STB42N65M5 STB43N60DM2 STB43N65M5 STB45N40DM2AG STB45N50DM2AG STB45N60DM2AG STB45N65M5 STB45NF06 STB45NF06T4 STB46N30M5 STB46NF30 STB4N62K3 STB4NK60Z-1 STB4NK60ZT4