您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STB45N60DM2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • ST

  • D2PAK-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • DPAK

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STB45N60DM2
    STB45N60DM2

    STB45N60DM2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • D2PAK/TO-263

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 23500

  • ST

  • TO-263

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原装,实单可以支持。075...

  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-8279802015814679726(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 30000

  • ST/意法

  • NA

  • 21+

  • -
  • 原厂授权,价格超越代理!

  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 668

  • STMicroelectronics

  • TO-263-3,D?Pak(2 引线

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • STMicroelectronics

  • 管件

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • STB45N60DM2AG
    STB45N60DM2AG

    STB45N60DM2AG

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 100

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 2.82728 USD,szpoweri...

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
STB45N60DM2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STB45N60DM2 技术参数
  • STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,MDmesh? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):84 毫欧 @ 17.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,MDmesh? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 19A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,MDmesh? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):63 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):79 毫欧 @ 16.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):87 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB50N25M5 STB50NE10T4 STB50NF25 STB55NF06LT4 STB55NF06T4 STB5600TR STB57N65M5 STB5N52K3 STB5N62K3 STB5N80K5 STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3 STB60NE06L-16T4 STB60NF06LT4 STB60NF06T4
配单专家

在采购STB45N60DM2进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STB45N60DM2产品风险,建议您在购买STB45N60DM2相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STB45N60DM2信息由会员自行提供,STB45N60DM2内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号