配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STB80N4F6AG
现货
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
0
ST
SOT263
22+
-
原装现货

STB80N4F6AG
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
D2PAK（TO-263）
18+
-
MOSFET N-CH 40V 80A ...

STB80N4F6AG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
D?PAK
17+
-
全新原装现货

STB80N4F6AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STB80N4F6AG
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
7000
ST/意法
23+
-
原厂原装正品现货

STB80N4F6
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STB80N4F6AG
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
58183
STMicroelectronics
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

STB80N4F6AG 其他三极管
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-83795896
地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
25300
ST/意法
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

STB80N4F6AG 其他三极管
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
30000
ST/意法
21+
-
原厂授权，价格超越代理！

STB80N4F6AG
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
6410
ST
TO-263
2022+
-
十年芯途，只做原装，实单可以支持。075...

STB80N4F6AG
广州市睿科电子科技有限公司
广州市睿科电子科技有限公司
联系人：曾小姐/汤小姐
电话：1597539812513660603466
地址：花都区秀全街花港大道87号5楼
5000
ST
NA
22+
-
原装渠道优势实单联系

STB80N4F6AG
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO263
22+
-

STB80N4F6AG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ST
TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STB80N4F6AG
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3469
STM/意法
TO-263-3
2219+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STB80N4F6AG
深圳市德会鑫科技有限公司
深圳市德会鑫科技有限公司
联系人：欧阳
电话：18672855211
地址：深圳市福田区华强北街道上步工业区 23 栋上航大厦 410-U
50000
ST
TO-263
22+
-
原装正品力挺实单

STB80N4F6AG
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
46700
ST
ORIGINAL
1918+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

STB80N4F6AG
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
1000
STM
ORIGONAL
16+
-
0.61714 USD,szpoweri...

1/1页 40条/页共14条
1

您是不是要找： STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4 STB80NF10T4 STB80NF55-06-1 STB80NF55-06T4 STB80NF55-08-1 STB80NF55-08AG

STB80N4F6 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STB80N4F6 技术参数

STB80N20M5 功能描述:MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4329pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB7N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:525V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:737pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7ANM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB80NF55-08T4 STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-08-1 STB80PF55T4 STB85NF3LLT4 STB85NF55LT4 STB85NF55T4 STB85NS04Z STB8N65M5 STB8N90K5 STB8NM60D STB8NM60N STB8NM60T4 STB95N3LLH6 STB95N4F3 STB9NK50ZT4 STB9NK60ZDT4 STB9NK60ZT4