STBYW99W200

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STBYW99W200
深圳市华金瑞电子有限公司
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STBYW99W200 技术参数

STBV45G-AP 功能描述:TRANS NPN 400V 0.75A TO-92AP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:750mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 135mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 400mA，5V 功率 - 最大值:950mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92AP 标准包装:1 STBV45-AP 功能描述:TRANS NPN 400V 0.75A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:750mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 135mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 400mA，5V 功率 - 最大值:950mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92AP 标准包装:1 STBV42G-AP 功能描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92AP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 400mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92AP 标准包装:1 STBV42G 功能描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 400mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,500 STBV42D 功能描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 400mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:500 STC08DE150HV STC08IE120HV STC20DE90HP STC3100IQT STC3100IST STC3105IQT STC3115AIJT STC3115AIQT STC3115IJT STC3115IQT STC3117IJT STC4054GR STC5DNF30V STC5NF20V STC5NF30V STC6NF30V STCB1 STCC02-ED5