STD10150TR

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说明
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STD10150TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

STD10150TR
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2490
SMC Diode Solutions
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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1

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功能描述
DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
制造商
smc diode solutions
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
二极管类型
肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
150V
电流 - 平均整流（Io）
-
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.2V @ 10A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
150μA @ 150V
不同?Vr，F 时的电容
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
标准包装
1

STD10150TR 技术参数

STD10100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:462pF @ 5V， 1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STD10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:120μA @ 100V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3940pF @ 15V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD100N3LF3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2060pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD100N10F7 功能描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4369pF @ 50V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD10NM60N STD10NM60ND STD10NM65N STD10P10F6 STD10P6F6 STD10PF06-1 STD10PF06T4 STD110N02RT4G STD110N02RT4G-VF01 STD110N8F6 STD110NH02LT4 STD11N50M2 STD11N60DM2 STD11N60M2-EP STD11N65M2 STD11N65M5 STD11NM50N STD11NM60N