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STD1109T-330M-B-N

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STD1109T-330M-B-N
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
35680
YAGEO
ROHS
2011
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全新原装正品欢迎来电0755-8286...

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STD1109T-330M-B-N 技术参数

STD10PF06T4 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD10PF06-1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD10P6F6 功能描述:MOSFET P CH 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD10P10F6 功能描述:MOSFET P-CH 100V 10A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:864pF @ 80V 功率 - 最大值:40W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD10NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 9A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD11NM50N STD11NM60N STD11NM60N-1 STD11NM60ND STD11NM65N STD120N4F6 STD120N4LF6 STD12100TR STD127DT4 STD12N10T4G STD12N50DM2 STD12N50M2 STD12N60M2 STD12N65M2 STD12N65M5 STD12NF06-1 STD12NF06L-1 STD12NF06LT4