您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STD11NM50N@N

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " STD11NM50N@N " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
STD11NM50N@N PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STD11NM50N@N 技术参数
  • STD11NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):470 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):547pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD11N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 9A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):480 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):620pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):670 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD11N60M2-EP 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):595 毫欧 @ 3.75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):390pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD11N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):420 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):614pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD12N50DM2 STD12N50M2 STD12N60M2 STD12N65M2 STD12N65M5 STD12NF06-1 STD12NF06L-1 STD12NF06LT4 STD12NF06T4 STD12NM50N STD12NM50ND STD12W-0 STD12W-1 STD12W-2 STD12W-3 STD12W-4 STD12W-5 STD12W-6
配单专家

在采购STD11NM50N@N进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STD11NM50N@N产品风险,建议您在购买STD11NM50N@N相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STD11NM50N@N信息由会员自行提供,STD11NM50N@N内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号