STD13N60DM2

配单专家企业名单

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数量
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封装
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说明
操作

STD13N60DM2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STD13N60DM2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
5750
ST/意法
NA
22+
-
可订货，请确认

STD13N60DM2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STD13N60DM2
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
STM
TO-252-3 (DPAK)
21+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

STD13N60DM2
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10000
ST MICROELECTRONICS
价格优势
2412
-
全新原装渠道现货

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功能描述
N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
365 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
730pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
标准包装
1

STD13N60DM2 技术参数

STD134N4F7AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:41nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2790pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:134W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 STD130N6F7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:134W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 STD130N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4260pF @ 25V 功率 - 最大值:143W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD13003T4 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 500mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD12NM50ND 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD150NH02LT4 STD155N3H6 STD155N3LH6 STD15N50M2AG STD15N60M2-EP STD15N65M5 STD15NF10T4 STD15P6F6AG STD15W-0 STD15W-1 STD15W-2 STD15W-3 STD15W-4 STD15W-5 STD15W-6 STD15W-7 STD15W-8 STD15W-9