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STD18GK12

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  • STD18GK12
    STD18GK12

    STD18GK12

  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • SIRECTIFIER

  • 原厂原装

  • 23+

  • -
  • 只做原装正品

  • STD18GK12
    STD18GK12

    STD18GK12

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 86530

  • SIRECTIFIER

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  • 最新批号

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  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • STD18GK12
    STD18GK12

    STD18GK12

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 9000

  • SIRECTIFIER

  • 原厂原装

  • 19+

  • -
  • 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

  • STD18GK12
    STD18GK12

    STD18GK12

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • SIRECTIFIER

  • 原厂原装

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

  • STD18GK12
    STD18GK12

    STD18GK12

  • 昆山开发区美科微电子商行
    昆山开发区美科微电子商行

    联系人:易春花

    电话:18951125455

    地址:开发区朝阳东路99号3号房2楼

  • 5000

  • 法国矽莱克

  • QFP

  • 19+

  • -
  • 一级代理 现货直销

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  • 制造商
  • SIRECT
  • 制造商全称
  • Sirectifier Global Corp.
  • 功能描述
  • Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD18GK12 技术参数
  • STD180N4F6 功能描述:N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7735pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD1805T4 功能描述:TRANS NPN 60V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD1805-1 功能描述:TRANS NPN 60V 5A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:3,000 STD1802T4-A 功能描述:TRANS NPN 60V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 STD1802T4 功能描述:TRANS NPN 60V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 STD1NK60T4 STD1NK80Z-1 STD1NK80ZT4 STD20150TR STD2045CTR STD20N20T4 STD20NF06LAG STD20NF06LT4 STD20NF06T4 STD20NF10T4 STD20NF20 STD20P3H6AG STD21W-1 STD21W-2 STD21W-3 STD21W-4 STD21W-5 STD21W-6
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