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STD1NB80-

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 说明
  • 操作
  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 13958

  • ST进口

  • TO-251

  • 2024+

  • -
  • 顶级代理原装现货假一赔十

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • TO-251

  • 0455+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-251

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO-251

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 4875

  • ST

  • TO-251

  • 10+

  • -
  • 全新原装现货

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 975

  • ST

  • TO-251

  • 10+

  • -
  • 原装现货/特价

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 65000

  • ST

  • TO-251

  • 15+16+

  • -
  • ★★★真实库存,假一赔十,原厂授权★★★

  • STD1NB80-1 MOS(场效应管)
    STD1NB80-1 MOS(场效应管)

    STD1NB80-1 MOS(场效应管)

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:张先生/雷小姐

    电话:0755-8279802015814679726(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 15000

  • ST/意法

  • TO-251

  • 21+原厂授权

  • -
  • ★原厂授权★价超代理★

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 10000

  • ST

  • TO-251

  • 22+

  • -
  • 终端免费提供样品 可开13%增值税发票

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 975

  • ST

  • TO-251

  • 假一赔十!!

  • -
  • 绝对原装现货!

  • STD1NB80-
    STD1NB80-

    STD1NB80-

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-251

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STD1NB80-1
    STD1NB80-1

    STD1NB80-1

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 50000

  • ST/意法

  • TO-251

  • 21+

  • -
  • 长期代理优势供应 原装进口 可开增值发...

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全称
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL 800V - 16ohm - 1A - IPAK PowerMESH MOSFET
STD1NB80- 技术参数
  • STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):228pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD1HN60K3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 600mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 50V 功率 - 最大值:27W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD19N3LLH6AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):321pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD18NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD18NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD20NF06T4 STD20NF10T4 STD20NF20 STD20P3H6AG STD21W-1 STD21W-2 STD21W-3 STD21W-4 STD21W-5 STD21W-6 STD21W-7 STD21W-8 STD21W-9 STD21W-A STD21W-B STD21W-C STD21W-D STD21W-E
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