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STD20NE03L-TR

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • 06+/07+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STD20NE03L-TR
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批号

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STD20NE03L-TR 技术参数
  • STD20N20T4 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):940pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD2045CTR 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 20A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 45V 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD20150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.55V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STD1NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD1NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD21W-4 STD21W-5 STD21W-6 STD21W-7 STD21W-8 STD21W-9 STD21W-A STD21W-B STD21W-C STD21W-D STD21W-E STD21W-F STD21W-G STD21W-H STD21W-I STD21W-J STD21W-K STD21W-L
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