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STD3NK60Z-TR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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STD3NK60Z-TR 技术参数
  • STD3NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 1.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):311pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3NK60ZD 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 1.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):311pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 欧姆 @ 1.15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 1.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):601pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):130pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 STD40NF03LT4 STD40NF10 STD40NF3LLT4 STD40P3LLH6 STD44N4LF6 STD45N10F7 STD45NF75T4 STD45P4LLF6AG STD46N6F7 STD46P4LLF6 STD47N10F7AG STD4LN80K5 STD4N52K3 STD4N62K3 STD4N80K5 STD4N90K5 STD4NK100Z STD4NK50Z-1
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