配单专家企业名单

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说明
操作

STD40NE03LT4
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-252
15+
-
原装正品，假一罚十

STD40NE03LT4
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
SOT252
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STD40NE03LT4
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
8325
STM
TO-252
23+
-
原厂原装正品现货

STD40NE03LT4
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18530
STM
DPAK
22+
-
全新原装正品现货

STD40NE03LT4
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
31625
STM
TO-252
1521+
-
全新原装现货

STD40NE03LT4
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
80000
ST
TO-252
2011+
-
全新原装现货，假一罚十

STD40NE03LT4
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
35000
ST
SOT252
16+
-

STD40NE03LT4
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1000
ST
SOT252
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

STD40NE03LT4
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ST
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STD40NE03LT4
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3889
ST
TO-252
2203+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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STD40NE03LT4 技术参数

STD40N2LH5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3PK50Z 功能描述:MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 1.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:324pF @ 25V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.65A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:188pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD3NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:590pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD46P4LLF6 STD47N10F7AG STD4LN80K5 STD4N52K3 STD4N62K3 STD4N80K5 STD4N90K5 STD4NK100Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZD STD4NK50ZD-1 STD4NK50ZT4 STD4NK60Z-1 STD4NK60ZT4 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4 STD4NS25T4 STD50N03L