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STD4NS25-1

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  • STD4NS25-1
    STD4NS25-1

    STD4NS25-1

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • STD4NS25-1
    STD4NS25-1

    STD4NS25-1

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 5090

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  • STD4NS25-1
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 8650000

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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
STD4NS25-1 技术参数
  • STD4NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):575pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD4NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):575pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD4NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):510pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD4NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD4NK50ZD-1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):310pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD52P3LLH6 STD5406NT4G STD5406NT4G-VF01 STD5407NNT4G STD5407NT4G STD55N4F5 STD55NH2LLT4 STD5N20LT4 STD5N20T4 STD5N52K3 STD5N52U STD5N60DM2 STD5N60M2 STD5N62K3 STD5N80K5 STD5N95K3 STD5N95K5 STD5NK40Z-1
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