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STD5915

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    STD5915

    STD5915

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • TO-92

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  • 制造商
  • KODENSHI
  • 制造商全称
  • KODENSHI KOREA CORP.
  • 功能描述
  • NPN Silicon Power Transistor
STD5915 技术参数
  • STD55NH2LLT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):990pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD55N4F5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 55A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 27.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD52P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 52A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):52A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD5200TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.6V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STD5150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.41V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 STD5N95K5 STD5NK40Z-1 STD5NK40ZT4 STD5NK50Z-1 STD5NK50ZT4 STD5NK52ZD STD5NK52ZD-1 STD5NK60ZT4 STD5NM50T4 STD5NM60-1 STD5NM60T4 STD60N3LH5 STD60N55F3 STD60NF06T4 STD60NF3LLT4 STD60NF55LT4 STD60NH03L-1 STD60NH03LT4
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