STD60GK14

配单专家企业名单

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说明
操作

STD60GK14
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
18602
SIRECTIFIER
MODULE
22+
-
原厂原装现货

STD60GK14
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
SIRECTIFIER
原厂原装
23+
-
只做原装正品

STD60GK14
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86530
SIRECTIFIER
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

STD60GK14
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
SIRECTIFIER
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

STD60GK14
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
SIRECTIFIER
原厂原装
21+
-
只做原装正品

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您是不是要找： STD60N3LH5 STD60N55F3 STD60NF06T4 STD60NF3LLT4 STD60NF55LT4 STD60NH03L-1 STD60NH03LT4 STD64N4F6AG STD65N3LLH5

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制造商
SIRECTIFIER
制造商全称
Sirectifier Semiconductors
功能描述
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

STD60GK14 技术参数

STD5NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD5NM60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD5NM50T4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:415pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD5NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:690pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD5NK52ZD-1 功能描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:520V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:529pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD65N55F3 STD65N55LF3 STD65NF06 STD6N52K3 STD6N60M2 STD6N62K3 STD6N65M2 STD6N80K5 STD6N90K5 STD6N95K5 STD6NF10T4 STD6NK50ZT4 STD6NM60N STD6NM60N-1 STD70N02L STD70N02L-1 STD70N03L STD70N03L-1