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STD86N3LH5 MOS(场效应管)

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    STD86N3LH5 MOS(场效应管)

    STD86N3LH5 MOS(场效应管)

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

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    资质:营业执照

  • 3500

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  • STD86N3LH5 MOS(场效应管)
    STD86N3LH5 MOS(场效应管)

    STD86N3LH5 MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

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    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • ST/意法

  • TO-252

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STD86N3LH5 MOS(场效应管) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STD86N3LH5 MOS(场效应管) 技术参数
  • STD86N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD85N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD85N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3100pF @ 50V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD845DN40 功能描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1A,4A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):12 @ 2A,5V 功率 - 最大值:3W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-DIP 标准包装:50 STD840DN40 功能描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 400mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:3W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-DIP 标准包装:50 STD8NM60ND STD901T STD90N02L STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3 STD90NH02LT4 STD90NS3LLH7 STD95N04 STD95N2LH5 STD95N3LLH6 STD95N4F3 STD95N4LF3 STD95NH02LT4 STD96N3LLH6 STD9HN65M2 STD9N40M2
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