STE-2000-0.68-4

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STE-2000-0.68-4 技术参数

STE180NE10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:795nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21000pF @ 25V 功率 - 最大值:360W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE180-75T2KI 功能描述:180μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial 1.5 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包装:散装零件状态:有效电容:180μF 容差:±10% 电压 - 额定:75V ESR（等效串联电阻）:1.5 欧姆类型:密封工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.312" 直径 x 0.641" 长（7.92mm x 16.28mm）高度 - 安装（最大值）:- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T2 特性:液态钽不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 STE145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:143A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:679W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE-1428116RF96 功能描述:UNIVERSAL TRANSMITTER W/LITHIUM 制造商:steute wireless 系列:- 零件状态:在售功能:发射器调制或协议:sWave? 频率:915MHz 应用:通用接口:- 灵敏度:- 功率 - 输出:- 数据速率（最大值）:66kbps 特性:- 电压 - 电源:- 标准包装:1 STE140NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 70A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:338nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE400-100T4MI STE40NC60 STE40NK90ZD STE45NK80ZD STE4700-10T3KI STE470-75T3KI STE48NM50 STE48NM60 STE50DE100 STE53NC50 STE560-60T3KI STE6000-16T4KI STE6000-16T4MI STE70NM50 STE70NM60 STE750-75T4KI STE750-75T4MI STE88N65M5