配单专家企业名单

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STE38NB50
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
真实库存请放心查寻
-
假一罚十，百分百原装正品

STE38NB50
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
ST
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STE38NB50
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18530
模块
22+
-
全新原装正品现货

STE38NB50
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ST
SOT-227
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

STE38NB50
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
221
n/a
模块
14+
-
原装现货，质量保证。专营模块

STE38NB50F
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STE38NB50
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
ST
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

STE38NB50
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STE38NB50
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
ST
原厂原装
21+
-
只做原装正品

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功能描述
MOSFET N-Ch 500 Volt 38 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STE38NB50 技术参数

STE3300-16T3MI 功能描述:3300μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 16V Axial 350 mOhm 0.406" Dia x 0.766" L (10.31mm x 19.46mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包装:散装零件状态:有效电容:3300μF 容差:±20% 电压 - 额定:16V ESR（等效串联电阻）:350 毫欧类型:密封工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.406" 直径 x 0.766" 长（10.31mm x 19.46mm）高度 - 安装（最大值）:- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T3 特性:液态钽不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 STE30NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:490nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE26NA90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.75V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:660nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1770pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:50 STE250NS10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 125A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:900nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:31000pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE2200-50T4KI 功能描述:CAP TANT 2200UF 50V 10% AXIAL 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan?，Extended STE 包装:托盘零件状态:在售电容:2200μF 容差:±10% 电压 - 额定:50V 类型:密封 ESR（等效串联电阻）:600 毫欧工作温度:-55°C ~ 125°C 不同温度时的使用寿命:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.406" 直径 x 1.062" 长（10.31mm x 26.97mm）高度 - 安装（最大值）:- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T4 特性:液态钽故障率:- 标准包装:1 STE53NC50 STE560-60T3KI STE6000-16T4KI STE6000-16T4MI STE70NM50 STE70NM60 STE750-75T4KI STE750-75T4MI STE88N65M5 STEF033APUR STEF033PUR STEF05DPUR STEF05LAJR STEF05LAPUR STEF05LJR STEF05LPUR STEF05PUR STEF05WPUR

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