STF20100C

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STF20100C
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：钟小姐 18188616602
电话：0755-83239307
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
50000
SSG
TO-220F
26+
-
原装原厂正品现货

STF20100C
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
6500
SSG
TO-220F
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

STF20100C
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

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功能描述
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220
制造商
smc diode solutions
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
二极管配置
1 对共阴极
二极管类型
肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
100V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）
-
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
750mV @ 10A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
300μA @ 100V
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 隔离片
供应商器件封装
ITO-220AB
标准包装
50

STF20100C 技术参数

STF20100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 STF19NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF19NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2070pF @ 50V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1030pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF203-33.TCT STF2045C STF2050C STF2060C STF2060CR STF20N20 STF20N60M2-EP STF20N65M5 STF20N90K5 STF20N95K5 STF20NF06 STF20NF06L STF20NF20 STF20NK50Z STF20NM60D STF20NM65N STF21N65M5 STF21N90K5