STFI34NM60N全国供应商 STFI34NM60N资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STFI34NM60N
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO-220F
22+
-
十年配单，只做原装

STFI34NM60N
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
10381
ST
I2PAK
22+
-
全新原装正品现货热卖

STFI34NM60N
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
I2PAKFP
17+
-
全新原装现货

STFI34NM60N
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
ST
TO-220F
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STFI34NM60N
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-262F
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STFI34NM60N
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
I2PAKFP（TO-281）
18+
-
MOSFET N-CH 600V 29A...

STFI34NM60N
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1865
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STFI34NM60N
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
I2PAKFP （281）
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STFI34NM60N
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
带卷（TR）
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
MOSFET N-channel 600 V 29A Mdmesh II 0.105 Ohm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STFI34NM60N 技术参数

STFI34N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI31N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1865pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1440pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI26N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）标准包装:50 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524 STFILED625 STFILED627 STFN42 STFPC311 STFPC311BTR STFPC320BTR STFU13N60M2 STFU13N65M2 STFU13N80K5 STFU15N80K5 STFU15NM65N STFU18N60M2 STFU18N65M2 STFU24N60M2 STFU28N65M2