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STG009M6SN

配单专家企业名单
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  • STG009M6SN
    STG009M6SN

    STG009M6SN

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • TE Connectivity Aerospace

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 百分百原装正品,假一罚十

  • STG009M6SN
    STG009M6SN

    STG009M6SN

  • 深圳市赛恒电子科技有限公司
    深圳市赛恒电子科技有限公司

    联系人:张小姐,曾先生

    电话:0755-222792890755-825452760755-23604337

    地址:深圳市福田区上步工业区405栋304室

    资质:营业执照

  • 10500

  • TE Connectivity / Nanonic

  • 原厂原封

  • 1819+

  • -
  • 十年信誉,只做原装,欢迎咨询

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 集管和线壳 STG009M6SN THRU-HOLE
  • RoHS
  • 产品种类
  • 1.0MM Rectangular Connectors
  • 产品类型
  • Headers - Pin Strip
  • 系列
  • DF50
  • 触点类型
  • Pin (Male)
  • 节距
  • 1 mm
  • 位置/触点数量
  • 16
  • 排数
  • 1
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 安装角
  • Right
  • 端接类型
  • Solder
  • 外壳材料
  • Liquid Crystal Polymer (LCP)
  • 触点材料
  • Brass
  • 触点电镀
  • Gold
  • 制造商
  • Hirose Connector
STG009M6SN 技术参数
  • STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 29A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):143nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):59 毫欧 @ 23A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):139nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):78 毫欧 @ 17.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STG015PC2DCC05Q STG02511378PCN STG025L2AQ STG025M5 STG025M5CN STG025M6CN STG025PC2DNC70N STG025PC2DT036N STG025PC3DC012N STG025SC2DNC70N STG025SC2DT012HN STG025T2HN STG025T84HN STG03711378PCN STG03711378SCN STG037B5N STG037L2AQ STG037L2HN
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