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STG2919A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SAMSUNG
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

STG2919A
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
332
SAMSUNG
-
公司现货!只做原装!

STG2919A
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NULL
PLCC84
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

STG2919A
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
240
PLCC84
2012+
-
只做原装正品。

STG2919A
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
1652
原厂品牌
PLCC84
21+
-
量大价优，100%原厂原装现货,热卖库存...

STG2919A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SEC
PLCC84
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！！

STG2919A
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
SAMSUNG
PLCC84
18+
-
原装正品，欢迎订购

STG2919A
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

STG2919A
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
SAMSUNG
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

STG2919A
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
SAMSUNG
PLCC84
18+
-
原装正品，欢迎订购

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STG2919A 技术参数

STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 29A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:59 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 STG3684AQTR STG3684AUTR STG3684QTR STG3689DTR STG3690QTR STG3692QTR STG3693QTR STG3696EQTR STG3699ADWF STG3699AQTR STG3699AUTR STG3699BVTR STG3699QTR STG3820BJR STG3856QTR STG3P2M10N60B STG4158BJR STG4159BJR

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