STGB18N40LZ-1全国供应商 STGB18N40LZ-1资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGB18N40LZ-1
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO220MONOC..
22+
-
十年配单，只做原装

STGB18N40LZ-1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
I2PAK
17+
-
全新原装现货

STGB18N40LZ-1
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
15326
STM
TO 220
2024+
-
代理商库房现货

STGB18N40LZ-1
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
14967
ST/意法
TO220MONOC..
22+
-

STGB18N40LZ-1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
I2PAK
18+
-
IGBT 420V 30A 150W ...

STGB18N40LZ-1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
I2PAK
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STGB18N40LZ-1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

STGB18N40LZ-1
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
管件
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

STGB18N40LZ-1
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO 220 MONOC. .
ST
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400V IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGB18N40LZ-1 技术参数

STGB15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 开关能量:90μJ（开），450μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:45nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/93ns 测试条件:400V，15A，12 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:142ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB15H60DF 功能描述:IGBT 600V 30A 115W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:115W 开关能量:136μJ（开），207μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:81nC 25°C 时 Td（开/关）值:24.5ns/118ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:103ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB14NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 开关能量:82μJ（开），155μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB14NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 开关能量:82μJ（开），155μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:34.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:37ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB12NB60KDT4 功能描述:IGBT 600V 30A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.8V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 开关能量:258μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:54nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/96ns 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:80ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STGB20NB32LZ STGB20NB37LZ STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1

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