STGF6M65DF2全国供应商 STGF6M65DF2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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说明
操作

STGF6M65DF2
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
3000
ON
VQFN20
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

STGF6M65DF2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
355700
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STGF6M65DF2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

STGF6M65DF2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
355700
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STGF6M65DF2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
355700
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

STGF6M65DF2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
355700
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
优势库存，原装正品

STGF6M65DF2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
355700
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
优势库存，原装正品

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STGF6M65DF2 技术参数

STGF5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:24W 开关能量:56μJ（开），78.5μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:134.5ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 23W Through Hole TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:管件零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:23W 开关能量:40μJ（开），136μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:2,000 STGF3NC120HD 功能描述:IGBT 1200V 6A 25W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:25W 开关能量:236μJ（开），290μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:51ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF3NB60FD 功能描述:IGBT 600V 6A 25W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:25W 开关能量:125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:45ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGF35HF60W 功能描述:IGBT 600V 19A 40W TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:19A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:40W 开关能量:290μJ（开），185μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:140nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/175ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STGFW20V60F STGFW30H65FB STGFW30NC60V STGFW30V60DF STGFW30V60F STGFW35HF60W STGFW40H65FB STGFW40V60DF STGFW40V60F STGFW80V60F STGIB10CH60TS-L STGIB15CH60TS-E STGIB15CH60TS-L STGIF10CH60TS-L STGIF5CH60TS-L STGIF7CH60TS-L STGIPL14K60 STGIPL14K60-S

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