STGP6M65DF2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STGP6M65DF2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

STGP6M65DF2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

STGP6M65DF2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
63
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STGP6M65DF2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
569888
ST意法
N/A
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STGP6M65DF2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
63
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

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功能描述
IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220
制造商
stmicroelectronics
系列
M
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
12A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
24A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2V @ 15V，6A
功率 - 最大值
88W
开关能量
40μJ（开），136μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
21.2nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V，6A，22 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
140ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
标准包装
2,000

STGP6M65DF2 技术参数

STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 开关能量:56μJ（开），78.5μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:43nC 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:134.5ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 开关能量:40μJ（开），136μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGP40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 开关能量:456μJ（开），411μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:226nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP3NC120HD 功能描述:IGBT 1200V 14A 75W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:75W 开关能量:236μJ（开），290μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:51ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP3NB60FD 功能描述:IGBT 600V 6A 68W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 开关能量:125μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:16nC 25°C 时 Td（开/关）值:12.5ns/105ns 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:45ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGPL6NC60D STGPL6NC60DI ST-GTC-16P1-100-(A572) ST-GTC-16P1-3500 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W