您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 > S字母第6072页 >

STH-19

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STH-19
    STH-19

    STH-19

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Keystone Electronics

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,原装正品

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
STH-19 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 电路板硬件 - PCB STANDOFF KIT
  • RoHS
  • 制造商
  • Harwin
  • 类型
  • Shield Clip
  • 长度
  • 9.4 mm
  • 螺纹大小
  • 外径
  • 材料
  • Beryllium Copper
  • 电镀
  • Tin
STH-19 技术参数
  • STH185N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F3 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH185N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F3 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH180N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH180N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH-18 功能描述:KIT CONTAINING ALUMINUM STANDOFF 制造商:keystone electronics 系列:* 零件状态:有效 标准包装:1 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6 STH272N6F7-6AG STH275N8F7-2AG STH275N8F7-6AG STH290N4F6-2 STH290N4F6-2AG STH290N4F6-6 STH290N4F6-6AG STH300NH02L-6
配单专家

在采购STH-19进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STH-19产品风险,建议您在购买STH-19相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STH-19信息由会员自行提供,STH-19内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号