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STH275N8F7-6AG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STH275N8F7-6AG
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 4450

  • STMICROEL

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STH275N8F7-6AG
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • H2PAK-6

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STH275N8F7-6AG
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • H2PAK-6

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 80V 180A...

  • STH275N8F7-6AG
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STH275N8F7-6AG
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STH275N8F7-6AG
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 原装正品现货,支持BOM配单!

  • STH275N8F7-6AG
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1998

  • STMicroelectronics

  • 管件

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

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STH275N8F7-6AG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • 汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 80V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 180A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 2.1 毫欧 @ 90A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 193nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 13600pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 315W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片)
  • 供应商器件封装
  • H2PAK-6
  • 标准包装
  • 1
STH275N8F7-6AG 技术参数
  • STH275N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH270N8F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH270N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.1 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH270N4F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 80A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH270N4F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 80A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH320N4F6-2 STH320N4F6-6 STH360N4F6-2 STH3N150-2 STH400N4F6-2 STH400N4F6-6 STH410N4F7-2AG STH410N4F7-6AG STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B STH71G
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