STH290N4F6-2AG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STH290N4F6-2AG
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
H2Pak-2
18+
-
MOSFET N-CH 40V 180A...

STH290N4F6-2AG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
H2Pak-2
17+
-
全新原装现货

STH290N4F6-2AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STH290N4F6-2AG
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

STH290N4F6-2AG
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
Digi-Reel?
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
180A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.7 欧姆 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
115nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
7380pF @ 25V
功率 - 最大值
300W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
H2Pak-2
标准包装
1

STH290N4F6-2AG 技术参数

STH275N8F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH275N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH270N8F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH270N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH270N4F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH360N4F6-2 STH3N150-2 STH400N4F6-2 STH400N4F6-6 STH410N4F7-2AG STH410N4F7-6AG STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B STH71G STH71W STH72B