STL42P4LLF6全国供应商 STL42P4LLF6资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STL42P4LLF6
现货
甄芯网
甄芯网
联系人：柯
电话：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大厦B座907
3000
ST
DFN5X6
2202+
-
全新原装进口

STL42P4LLF6
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
QFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STL42P4LLF6
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
130000
ST/意法
NA
23+
-
18万条库存，一站式配齐

STL42P4LLF6
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STL42P4LLF6
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14235
STMICROEL
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原装现货

STL42P4LLF6
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STL42P4LLF6
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
100
ST MICROELECTRONICS
价格优势
2321
-
全新原装渠道现货

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功能描述
MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F6
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
42A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
18 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
22nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2850pF @ 25V
功率 - 最大值
75W
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装
PowerFlat?（5x6）
标准包装
1

STL42P4LLF6 技术参数

STL42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta），34A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4650pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL40N75LF3 功能描述:MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL40N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1270pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL40DN3LLH5 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL40C30H3LL 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A，30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:475pF @ 24V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL4P2UH7 STL4P3LLH6 STL50DN6F7 STL50N6F7 STL50NH3LL STL51N3LLH5 STL52N25M5 STL55NH3LL STL56N3LLH5 STL57N65M5 STL58N3LLH5 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL

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