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STL8N6LF3

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STL8N6LF3 技术参数
  • STL8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta),7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):690pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-PowerVQFN 供应商器件封装:PowerFLAT?(5x5) 标准包装:1 STL8N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:有效 标准包装:1 STL8N10LF3 功能描述:MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):970pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL8N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STL8DN6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 9.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1340pF @ 25V 功率 - 最大值:55W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL9N3LLH5 STL9N60M2 STL9N65M2 STL9P2UH7 STL9P3LLH6 STLA01PUR STLA02PUR STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080 STLC3080TR STLC30R80 STLC5046 STLC5048 STLC5048TR STLC60845 STLC7550TQF7 STLC7550TQF7TR
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