配单专家企业名单

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说明
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STN6562
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5886
ST/司坦森
TSOP-6P
15+
-
百分百原装正品，假一罚十

STN6562
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
TY/台灣半導体
SOT23-6
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STN6562
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
136615
VB
SOT-23-6
15+
-
全新原装现货

STN6562
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
31852
STANSON
TSOP-6
2022+
-
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价...

STN6562
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
14520
STANSON
SOT23-6
22+
-
原装现货可含税样品可拆

STN6562
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1
TSOP-6
假一赔十！
-
原装自己现货！！

STN6562
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
STANSON
TSOP-6
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STN6562
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
45800
STANSON
SOT23-6
22+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

STN6562
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3706
STANSON
SOT23-6
2224+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STN6562
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ST
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

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1

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STN6562 技术参数

STN5PF02V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:450mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:412pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN4NF20L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN4NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN4NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:330pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN3PF06 功能描述:MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN878 STN888 STN9260 STN93003 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR STNRG328A STNRG328ATR STNRG388A STNRG388ATR STNRGPF01 STNRGPF01TR STNS01PUR STO-01-187N STO-41T-187N STOD02PUR