STN80T08

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STN80T08
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
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STN80T08 技术参数

STN790A 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 100mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN749 功能描述:TRANS PNP 25V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN724 功能描述:TRANS NPN 30V 3A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 150mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN715 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN690A 功能描述:TRANS NPN 30V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN951 STNRG288A STNRG288ATR STNRG328A STNRG328ATR STNRG388A STNRG388ATR STNRGPF01 STNRGPF01TR STNS01PUR STO-01-187N STO-41T-187N STOD02PUR STOD02TPUR STOD03ASTPUR STOD03ATPUR STOD03BTPUR STOD1317BTPUR