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STNANDO1GW3B2CN6

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STNANDO1GW3B2CN6 技术参数
  • STN951 功能描述:TRANS PNP 60V 5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 2A,1V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN9360 功能描述:TRANS PNP 600V 0.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN93003 功能描述:TRANS PNP 400V 1.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):16 @ 350mA,5V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN9260 功能描述:TRANS PNP 600V 0.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN888 功能描述:TRANS PNP 30V 5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 500mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STO-01-187N STO-41T-187N STOD02PUR STOD02TPUR STOD03ASTPUR STOD03ATPUR STOD03BTPUR STOD1317BTPUR STOD13AMTPUR STOD13ASTPUR STOD13ATPUR STOD13BSTPUR STOD13CMTPUR STOD13CTPUR STOD1412PMR STOD14PUR STOD1812PUR STOD2540PMR
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