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STP180N4F6

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    STP180N4F6

    STP180N4F6

  • 广东济德精密电子有限公司
    广东济德精密电子有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼

  • 100

  • STMICROELECTRONICS

  • NA

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  • STP180N4F6
    STP180N4F6

    STP180N4F6

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 2252

  • ST/意法

  • NA

  • 23+

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  • 18万条库存,一站式配齐

  • STP180N4F6
    STP180N4F6

    STP180N4F6

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:汪小姐

    电话:19240207240

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST/意法

  • NA

  • 24+

  • -
  • 优势供应 品质保障 可开13点发票

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STP180N4F6 技术参数
  • STP180N10F3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.1 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP17NK40ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP17NK40Z 功能描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP17NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP17N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):620V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):94nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2500pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP18NM60N STP18NM60ND STP18NM80 STP190N55LF3 STP19NB20 STP19NF20 STP19NM50N STP19NM65N STP1N105K3 STP200N3LL STP200N4F3 STP200N6F3 STP200NF03 STP200NF04 STP200NF04L STP20N20 STP20N60M2-EP STP20N65M5
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