STP180N4F6

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STP180N4F6
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
100
STMICROELECTRONICS
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

STP180N4F6
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
2252
ST/意法
NA
23+
-
18万条库存，一站式配齐

STP180N4F6
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5000
ST/意法
NA
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

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STP180N4F6 技术参数

STP180N10F3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.1 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP17NK40ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP17NK40Z 功能描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP17NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP17N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP18NM60N STP18NM60ND STP18NM80 STP190N55LF3 STP19NB20 STP19NF20 STP19NM50N STP19NM65N STP1N105K3 STP200N3LL STP200N4F3 STP200N6F3 STP200NF03 STP200NF04 STP200NF04L STP20N20 STP20N60M2-EP STP20N65M5