STP24N65M2全国供应商 STP24N65M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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封装
批号
价格
说明
操作

STP24N65M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STP24N65M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4770
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原装现货

STP24N65M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6001
ST/意法半导体
TO-220-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STP24N65M2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-220AB
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STP24N65M2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 16A TO-220AB
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? M2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
230 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1060pF @ 100V
功率 - 最大值
150W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
标准包装
50

STP24N65M2 技术参数

STP24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP24N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1055pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP24DP05BTR 功能描述:LED显示驱动器 24-bit shift regstr LED panel displays RoHS:否制造商:Micrel 数位数量:5 片段数量: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-44 工作电源电压:4.75 V to 11 V 最大电源电流:10 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube STP240N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:176nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12600pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 STP260N4F7 STP260N6F6 STP265N6F6AG STP26N60M2 STP26NM60N STP26NM60ND STP270N04 STP270N4F3 STP270N8F7 STP27N3LH5 STP27N60M2-EP STP28N60DM2 STP28N60M2 STP28N65M2 STP28NM50N STP28NM60ND STP28X0.2MBL STP28X0.2MBU

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