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STP4441

配单专家企业名单
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  • STP4441
    STP4441

    STP4441

  • 深圳成德兴科技有限公司
    深圳成德兴科技有限公司

    联系人:马庆勇

    电话:0755-82567711

    地址:深南中路佳和电子大厦(华强三店)三楼3C072室

    资质:营业执照

  • 18630

  • STANSON

  • SOP-8

  • 22+

  • -
  • 原装现货 可含税 样品可拆

  • STP4441
    STP4441

    STP4441

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • STANSON(司坦森)

  • SOP-8

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • STP4441
    STP4441

    STP4441

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • TY/台灣半導体

  • SOP8

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • STP4441
    STP4441

    STP4441

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 60000

  • STANSON

  • SOP-8

  • 21+

  • -
  • 长期代理优势供应 实单可谈 可开增值税

  • STP4441
    STP4441

    STP4441

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • STANSON

  • SOP8

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • 1/1页 40条/页 共40条 
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STP4441 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STP4441 技术参数
  • STP43N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):93 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):79 毫欧 @ 16.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):87 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP40NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP40NF12 功能描述:MOSFET N-CH 120V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):120V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1880pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP4LN80K5 STP4N150 STP4N52K3 STP4N62K3 STP4N80K5 STP4N90K5 STP4NB100 STP4NB50 STP4NB80 STP4NK50Z STP4NK50ZD STP4NK50ZFP STP4NK60Z STP4NK60ZFP STP4NK80Z STP4NK80ZFP STP50NE08 STP50NE10
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