STP6X6RD-Q

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STP6X6RD-Q 技术参数

STP6X2MIG 功能描述:CATEGORY 6A, 10 GB/S S/FTP PATCH 制造商:panduit corp 系列:TX6A? 10Gig? 零件状态:在售电缆类型:圆形线缆连接器类型:插头至插头安装类型:自由悬挂针脚/触头数:8p8c（RJ45，以太网）长度:6.56'（2.00m）屏蔽:屏蔽颜色:灰色特性:弹簧锁，模制插头样式:Cat6a 标准包装:1 STP6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 STP6NK90ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP6NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP6NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP6X70RD STP6X70VL STP6X70YL STP6X75BL STP6X75BU STP6X75GR STP6X75IG STP6X75OR STP6X75RD STP6X75VL STP6X75YL STP6X7BL STP6X7BL-Q STP6X7BU STP6X7BU-Q STP6X7GR STP6X7GR-Q STP6X7IG