STP7LN80K5

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说明
操作

STP7LN80K5
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STP7LN80K5
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6000
ST/意法半导体
TO-220-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

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功能描述
MOSFET N-CH 800V 5A TO-220
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh??
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
270pF @ 100V
功率 - 最大值
85W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
标准包装
50

STP7LN80K5 技术参数

STP78N75F4 功能描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5015pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP77N6F6 功能描述:MOSFET N CH 60V 77A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:77A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 38.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5300pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP76NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP75NS04Z 功能描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? III 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:33V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP75NF75FP 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP7NK30Z STP7NK40Z STP7NK40ZFP STP7NK80Z STP7NK80ZFP STP7NM50N STP7NM60N STP7NM80 STP80N10F7 STP80N20M5 STP80N6F6 STP80N70F6 STP80NE03L-06 STP80NE06-10 STP80NF03L STP80NF03L-04 STP80NF06 STP80NF10