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STPA002OD-4WX

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  • STPA002OD-4WX
    STPA002OD-4WX

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖先生

    电话:13612973190

    地址:广东省深圳市华强北上航大厦西座410室

  • 9000

  • ST

  • 25 Flexiwatt

  • 22+

  • -
  • 原厂渠道,现货配单

  • STPA002OD-4WX
    STPA002OD-4WX

    STPA002OD-4WX

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 5000

  • ST

  • QFP

  • 20+

  • -
  • 价格优势全新原装正品

  • STPA002OD-4WX
    STPA002OD-4WX

    STPA002OD-4WX

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 9859

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 优势代理,公司现货可开票

  • STPA002OD-4WX
    STPA002OD-4WX

    STPA002OD-4WX

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖女士

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 9000

  • ST

  • 25 Flexiwatt

  • 22+

  • -
  • 原厂渠道,现货配单

  • STPA002OD-4WX
    STPA002OD-4WX

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  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:王俊杰

    电话:188185984650755-23763516

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • STMicroelectronics

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

  • STPA002OD-4WX
    STPA002OD-4WX

    STPA002OD-4WX

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • STMicroelectronics

  • 管件

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

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STPA002OD-4WX 技术参数
  • STPA001 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:power amplifiers moving to the green zone STP9NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):745 毫欧 @ 3.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):452pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP9NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):560 毫欧 @ 3.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):570pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 STP9NM40N 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):790 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):365pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP9NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 欧姆 @ 3.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2115pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STPCH0.5MBBL STPCH0.5MBBR STPCH0.5MBBU STPCH0.5MBGR STPCH0.5MBRD STPCH0.5MBYL STPCH1.5MBBL STPCH1.5MBBR STPCH1.5MBBU STPCH1.5MBGR STPCH1.5MBRD STPCH1.5MBYL STPCH10MBBL STPCH10MBBR STPCH10MBBU STPCH10MBGR STPCH10MBRD STPCH10MBYL
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