STS8DN6LF6AG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STS8DN6LF6AG
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TY/台灣半導体
SOP8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

STS8DN6LF6AG
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
SOP-8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STS8DN6LF6AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
STMicroelectronics
8-SOIC（0.154"，3.90mm
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

STS8DN6LF6AG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6006
ST/意法半导体
SO-8
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

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功能描述
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 个 N 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
24 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1340pF @ 25V
功率 - 最大值
3.2W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
标准包装
1

STS8DN6LF6AG 技术参数

STS8DN3LLH5 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:724pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS8C5H30L 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A，5.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:857pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS7PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS7P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 7A POWERSO-8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20.5 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS7NF60L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19.5 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA STSA230RA1 STSA851 STSA851-AP STSB43AB22APDTG4 STSB43AB23PDT STSC1 STSD-002GG-P0.6(LF)(SN) STSJ100NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL STSJ60NH3LL STSMIA832TBR STSPIN230 STSPIN240