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STT60GK12B

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  • STT60GK12B
    STT60GK12B

    STT60GK12B

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18530

  • 模块

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货

  • STT60GK12B
    STT60GK12B

    STT60GK12B

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 101

  • ST

  • 模块

  • 2022+

  • -
  • 全新原装 价格优惠

  • STT60GK12B
    STT60GK12B

    STT60GK12B

  • 深圳市鹏展胜电子有限公司
    深圳市鹏展胜电子有限公司

    联系人:林先生

    电话:0755-8276920313538142003

    地址:深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801

    资质:营业执照

  • 500

  • N/A

  • 原厂原装

  • 18+

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  • 专营原装正品,价钱实惠,有现货,联系电话...

  • STT60GK12B
    STT60GK12B

    STT60GK12B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8500

  • ST

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • STT60GK12B
    STT60GK12B

    STT60GK12B

  • 昆山开发区美科微电子商行
    昆山开发区美科微电子商行

    联系人:易春花

    电话:18951125455

    地址:开发区朝阳东路99号3号房2楼

  • 5000

  • 法国矽莱克

  • QFP

  • 19+

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  • 一级代理 现货直销

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  • 制造商
  • SIRECT
  • 制造商全称
  • Sirectifier Global Corp.
  • 功能描述
  • Thyristor-Thyristor Modules
STT60GK12B 技术参数
  • STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.7V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? H6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT3PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):420pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT3P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STTA1212D STTA1512PIRG STTA2006P STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B
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