您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STT800GK08

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STT800GK08
    STT800GK08

    STT800GK08

  • 昆山开发区美科微电子商行
    昆山开发区美科微电子商行

    联系人:易春花

    电话:18951125455

    地址:开发区朝阳东路99号3号房2楼

  • 5000

  • 法国矽莱克

  • QFP

  • 19+

  • -
  • 一级代理 现货直销

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
STT800GK08 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STT800GK08 技术参数
  • STT7P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22.5 毫欧 @ 3.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2390pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):283pF @ 24V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.7V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? H6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):56 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STTA2006P STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F STTA512FP
配单专家

在采购STT800GK08进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STT800GK08产品风险,建议您在购买STT800GK08相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STT800GK08信息由会员自行提供,STT800GK08内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号