STTA1512PIRG

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

STTA1512PIRG
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
DOP3I
18+
-
DIODE GEN PURP 1.2KV...

STTA1512PIRG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO-3P
22+
-
十年配单，只做原装

STTA1512PIRG
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
STMicroelectronics
管件
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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功能描述
DIODE FAST 1200V 15A DOP-3I
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
TURBOSWITCH™
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

STTA1512PIRG 技术参数

STTA1206D 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:50 STTA112U 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.65V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:115ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 STTA106U 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:TURBOSWITCH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 STT818B 功能描述:TRANS PNP 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 20mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STT7P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22.5 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B STTA512F STTA512FP STTA6006TV1 STTA6006TV2 STTA806D STTA806DI STTA806G STTA806G-TR STTA812D STTA812DIRG STTA9012TV1