STTH2562TV1

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STTH2562TV1 技术参数

STTH212U 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH212S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 2A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH212RL 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH212 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 2A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.75V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH20W02CW 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Through Hole TO-247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STTH2R02U STTH2R02UY STTH2R06 STTH2R06A STTH2R06RL STTH2R06S STTH2R06U STTH2R06UFY STTH3002CG STTH3002CG-TR STTH3002CPI STTH3002CR STTH3002CT STTH3002CW STTH3002G STTH3002G-TR STTH3002PI STTH3002W