STTH2R06U ST

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STTH2R06U ST 技术参数

STTH2R06U 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH2R06S 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH2R06RL 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH2R06A 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH2R06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH3002PI STTH3002W STTH3003CW STTH3006D STTH3006DPI STTH3006PI STTH3006TPI STTH3006W STTH3010D STTH3010GY-TR STTH3010PI STTH3010W STTH3010WY STTH3012D STTH3012W STTH302 STTH302RL STTH302S