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STTH302S/BKN

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STTH302S/BKN 技术参数
  • STTH302S 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 STTH302RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 STTH302 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 STTH3012W 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.25V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):115ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-247-2(直引线) 供应商器件封装:DO-247 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:30 STTH3012D 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 电流 - 平均整流(Io):30A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.25V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):115ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:50 STTH30L06CW STTH30L06D STTH30L06G STTH30L06G-TR STTH30L06GY-TR STTH30L06P STTH30L06PI STTH30L06W STTH30L06WY STTH30R02DJF-TR STTH30R03CG STTH30R03CG-TR STTH30R03CW STTH30R04D STTH30R04DY STTH30R04G STTH30R04G-TR STTH30R04PI
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