STTH5R06GY-TR全国供应商 STTH5R06GY-TR资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STTH5R06GY-TR
深圳市鹏展胜电子有限公司
深圳市鹏展胜电子有限公司
联系人：林先生
电话：0755-8276920313538142003
地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801
资质：营业执照
6000
ST/意法半导体
D2PAK
21+
-
原装正品，假一赔十！

STTH5R06GY-TR
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO-263
22+
-
十年配单，只做原装

STTH5R06GY-TR
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
DIODE GEN PURP 600V ...

STTH5R06GY-TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

STTH5R06GY-TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
98220
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STTH5R06GY-TR
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
786
STMicroelectronics
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

STTH5R06GY-TR
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
364
STMicroelectronics
管件
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

1/1页 40条/页共16条
1

您是不是要找： STTH6002CPI STTH6002CW STTH6003CW STTH6004W STTH6006TV1 STTH6006W STTH6010W STTH6010WY STTH6012W

STTH5R06GY-TR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STTH5R06GY-TR PDF下载

功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 Auto Turbo 2 AECQ101 5A 600VR 1.5VF 35ns
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

STTH5R06GY-TR 技术参数

STTH5R06FP 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.9V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:40ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220FPAC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:50 STTH5R06DJF-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:60μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH5R06D 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.9V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:40ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:50 STTH5R06BY-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:3.2V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:30μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH5R06B-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.9V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:40ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH602CBY-TR STTH602CFP STTH602CT STTH60AC06CP STTH60AC06CPF STTH60AC06CW STTH60AC06CWL STTH60L04W STTH60L06CW STTH60L06TV1 STTH60L06TV2 STTH60L06W STTH60P03SW STTH60R04W STTH60SW03CW STTH60W02CW STTH60W03CW STTH6102TV1