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STU80N4F6

配单专家企业名单
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  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 12425

  • STMICROEL

  • 管件

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • TO-251

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • TO-251

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • IPAK/TO-251

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 20294

  • ST/意法

  • IPAK

  • 22+

  • -
  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 62193

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 优势代理,公司现货可开票

  • STU80N4F6
    STU80N4F6

    STU80N4F6

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 2460

  • STMicroelectronics

  • N/A

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - Rail/Tube
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 40V 80A IPAK
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-Ch 40 V 5.8 mOhm 80 A STripFET(TM)
STU80N4F6 技术参数
  • STU7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU7NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):420 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):500pF @ 25V 功率 - 最大值:72W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU7N80K5 功能描述:MOSFET N CH 800V 6A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):360pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU7N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.15 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):950 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):271pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU9HN65M2 STU9N60M2 STU9N65M2 STUDIO-30630-EVB STUDIO-30670-EVB STULED524 STULED623 STULED625 STULED656 STULPI01ATBR STULPI01BTBR STUPSD-SK/RAIS STUSA-170 STUSB02EQR STUSB03EDEMOBO STUSB03EQR STUSB06EHTR STUSB1600AQTR
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